高耐圧SiC-JFETの交流特性測定 : 高電圧バイアスおよびゲート電圧印加を可能とする測定回路
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概要
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著者らは,SiCパワーデバイスの持つ高耐圧,高速動作可能という特長を措かした電力変換回路の設計,評価に計算機シミュレーションを適用するため,これに用いるデバイスのモデル化を行っている.既報では,SiCショットキーダイオードのモデル化に供する直流,交流特性の測定法について述べた.本報告では,SiC-JFETのモデル化に向けた電気的特性の測定を行う.素子の電気的特性のうち,直流特性は,既存の測定装置で測定可能である.一方交流特性については,高電圧領域に対応した測定方法および装置が確立されていない.特にSiC-JFETでは,入力,出力,帰還容量の3つを,広いバイアス電圧に対して測定する必要がある上に,ノーマリオンであることから,静電容量測定時にゲート電圧を印加しなければならず,そのための回路を付加する必要がある.そこで,著者らは素子の定格電圧までバイアス電圧を印加可能な測定回路を考案,作成し,測定を行った.さらに,得られた直流特性,交流特性をもとに,SiC-JFETのモデル化について議論する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-27
著者
-
引原 隆士
京都大学大学院・工学研究科・電気工学専攻
-
舟木 剛
大阪大学
-
舟木 剛
京都大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
松崎 俊太郎
京都大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
松崎 俊太郎
京都大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
-
引原 隆士
京都大学大学院 工学研究科 電気工学専攻
-
舟木 剛
京都大学大学院
-
引原 隆士
京都大学大学院 工学研究科
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