光電子分光法による有機SIT関連界面物性評価(有機材料,一般)
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概要
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縦型構造を有する有機SITは、キャリアが有機半導体/金属界面を通り抜けて膜厚方向に流れるため、その界面電子状態を解明し制御することはデバイス性能を向上させる上で重要な要因の一つである。本研究では、キャリア注入側であるソース電極界面近傍に着目し、有機SITの性能向上を図ることを指針とした。ペンタセンSITにおいて、ペンタセン/ITOソース電極界面の正孔注入障壁などがデバイスの特性に与える影響を明らかにするために、トランジスタ特性とUPS(紫外光電子分光法)測定から得られるソース界面電極近傍の電子状態との相関に焦点を絞り研究を遂行した。それらの結果から得られた知見として、ITO上にCuPc薄膜(1nm〜3nm)を蒸着し、ペンタセン/ITO界面のバンド構造を制御することで、その上に作製したペンタセンSITの特性が他の条件で作製したデバイスに比べOn/Off比が1000以上と高く、良好な特性が得られることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-11-03
著者
-
上野 信雄
千葉大学・大学院・融合科学研究科
-
上野 信雄
千葉大学大学院自然科学研究科
-
上野 信雄
千葉大融合科学
-
渡邊 康之
千葉大学先進科学研究教育センター
-
深川 弘彦
千葉大院自然
-
上野 信雄
千葉大学工学部
-
上野 信雄
千葉大院融合科学
-
渡邊 康之
(財)光産業技術振興協会 高効率有機デバイス推進機構 千葉研究所
-
深川 弘彦
千葉大学大学院自然科学研究科
-
工藤 一浩
(財)光産業技術振興協会 高効率有機デバイス推進機構 千葉研究所
-
家地 洋之
(財)光産業技術振興協会 高効率有機デバイス推進機構 千葉研究所
-
上野 信雄
千葉大学
-
上野 信雄
千葉大学 工学部 機能材料工学科
-
家地 洋之
(株)リコー先端研
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