内殻電子励起による高分子薄膜の位置選択的結合切断 : パルス放射光励起イオンTOF法による測定
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概要
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分光した放射光パルスを利用するイオン飛行時間法を用いた、高分子・ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリメチルアクリレート(PMA)、ポリメタクリル酸(PMAA)からの光刺激脱離イオンの励起光エネルギー(h_ν)依存性を測定した。これら高分子薄膜への軟X線(250〜700eV)照射の結果、内殻電子励起状態あるいは化学結合状態に依存した光刺激イオン脱離が観測された。このような有機分子薄膜での位置選択的結合切断のh_ν依存性の結果は、機能性分薄膜のパターン化への応用に、内殻電子励起が有効であることを示唆している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-08-09
著者
-
丸山 純矢
千葉大工
-
田中 健一郎
高エネルギー物理学研究所・放射光実験施設
-
原田 義也
千葉大学工学部
-
神谷 幸司
千葉大学工学部
-
Ueno Nobuo
Department Of Materials Science Faculty Of Engineering Chiba University
-
上野 信雄
千葉大学工学部
-
関谷 徹司
広島大学大学院理学研究科物理科学専攻
-
関谷 徹司
広大院理
-
丸山 純矢
千葉大学工学部
-
Tinohe Marcia.c.k
総合研究大学院大学
-
関谷 徹司
高エネルギー物理学研究所
-
原田 義也
聖徳大
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