半導体プロセスシミュレーションへの分子動力学法の応用(<小特集>「ナノ, バイオテクノロジーにおける分子動力学シミュレーション」)
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概要
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In the filed of semiconductor fabrication process, process simulators which realize the predictions of device shape and dopant distribution are widely used. As the device size decreases, recent researches begin to focus on attempts to apply atomic simulation to the next-generation process simulation. In this paper, several examples concerning the application of molecular dynamics method to silicon process simulation such as ion implantation, amorphization, solid phase epitaxy, crystal nucleation, crystal growth, and etching, are shown.
- 日本シミュレーション学会の論文
- 2005-09-15
著者
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