ヨーク通電型MRヘッドにおけるGMR特性
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概要
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縦型構成を用いてセンス電流をヨークを通してGMR素子に流す新しいヨーク型磁気ヘッドについて検討した。このヘッドの可能性を調べるために、基板レベルでの検討を行った。ウェーハ上にCoZrNbヨークを有するスピンバルブ型GMR素子を作製し、均一磁界励磁の下でGMR特性の評価を行った。実験の結果、この素子はヨークを持たないGMR素子と同等の抵抗変化を示した。但し、抵抗変化曲線にオフセットが生じ、このレベルはヨークとGMR素子とのオーバーラップ量に依存する。また、GMR素子のフリー層を積層化することで抵抗変化曲線の抗磁力を小さくできること、ヨークとGMR素子との隙間を小さくすることで抵抗変化曲線の線形領域を拡大できることが見出された。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1997-11-21
著者
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