イオン衝撃によるac-PDP保護層材料(MgAl_2O_4)の二次電子放出特性
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概要
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真空紫外線透過特性を有するac-PDPの保護層材料として期待されるMgAl_2O_4について原料の組成比と二次電子放出比γ_iの関係を測定した。組成比が二次電子放出比に影響を及ぼす結果を得た。また、MgAl_2O_4をMgF_2基板に1000Å蒸着し、真空紫外線に対する透過率を測定した。活性化をしたMgAl_2O_4蒸着膜の真空紫外線の透過率が大きく改善される結果を得た。
- 2001-01-29
著者
-
内池 平樹
佐賀大学理工学部電気電子工学科
-
張 書秀
佐賀大学理工学部電気電子工学科
-
平川 貴義
佐賀大学大学院工学系研究科
-
平川 貴義
佐賀大学 理工学部 電気電子工学科
-
内池 平樹
佐賀大学 理工学部 電気電子工学科
-
張 書秀
佐賀大学 理工学部 電気電子工学科
-
後藤 貞浩
佐賀大学 理工学部 電気電子工学科
-
堤 圭一郎
佐賀大学 理工学部 電気電子工学科
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