4個の半導体レーザーを用いた高出力Erドープ光ファイバアンプ
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概要
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近年光ファイバアンプの実用化への流れはめざましく、さらに高性能化が要求されている。高出力な励起光源もいろいろと報告されており、高い信頼性を有する励起半導体レーザーが開発されている。また光ファイバアンプを構成する光部品の性能もさらに向上している。このような背景のもとに高い飽和出力を有するEDFAに関する報告がなされている。今回、4つの半導体レーザーを用い、+24dBm以上の飽和出力を可能にし、小型可搬で実用化に供しうるエルビウムドープ光ファイバアンプを開発したので、その構成と特性について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
大越 春喜
古河電気工業 光技術研究所開発部光伝送研究室
-
藤崎 晃
古河電気工業株式会社
-
田代 至男
古河電気工業(株) 光技術研究所
-
大島 勇
古河電気工業株式会社
-
大島 勇
古河電気工業株式会社光技術研究所
-
田代 至男
古河電気工業株式会社光技術研究所
-
大越 春喜
古河電気工業株式会社ファイテル製品事業部
-
藤崎 晃
古河電気工業株式会社光技術研究所
-
大越 春喜
古河電気工業
-
藤崎 晃
古河電気工業
-
大越 春喜
古河電気工業株式会社ファイテルフォトニクス研究所
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