電圧レベル変換 (SVL) 回路を適用した低リーク 90-nm CMOS SRAM(低消費 LSI-1, システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用した VLSI)
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概要
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90-nm CMOS技術を用いて、SVL回路を適用しない1Kb SRAM(従来形)、SVL回路をメモリセルアレイのみに適用した1Kb SRAM(改良形1)、SVL回路をメモリセルアレイ、デコーダ、読み出し回路、書き込み回路に適用した1Kb SRAM(改良形2)を設計した.電源電圧(V_<DD>)が1.0Vの時、改良形1の待機時消費電力(P_<ST>)は2, 957nWに、改良形2のP_<ST>は430nWで、従来形のP_<ST>(5, 663nW)と比べ、それぞれ52%、7.6%に削減された.一方、V_<DD>が1.0V、クロック周波数が200MHzの時、改良形1の動作時消費電力(P_<AT>)は486.4μWで、従来形SRAMのP_<AT>(487.3μW)の99.8%であった.また改良形1のアクセス時間(t_a)は213.0p秒で、従来形のt_aの僅か0.8%増であった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-03-03
著者
-
榎本 忠儀
中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻
-
樋口 雄貴
中央大学 大学院 理工学研究科 情報工学専攻
-
榎本 忠儀
中央大学理工学部 情報工学科
-
樋口 雄貴
中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻
-
榎本 忠儀
中央大学大学院理学部研究科情報工学専攻
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