LSI断線箇所診断手法(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト実装, 一般)

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概要

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• 近年の微細化や高集積化に伴い、LSIの断線不良箇所特定を目的に、LSIに変動電界を印加してオープンゲートを活性化し、発生する電源電流変動を検出することで断線不良箇所を特定する不良解析技術の研究・開発を行っている。本報告では探査原理に基づく試行システムを作成し、断線TEG用いた試行評価を行った。その結果、TEGの最上層配線(M3)、表層第2層配線(M2)、及び最下層配線(M1)の全てにおいて電源電流変動分布を確認出来、本診断手法の技術的有効性を確認する事が出来た。また電界印加距離の低減により、本診断手法における座標分解能の向上性について確認出来た。

• 2005-01-20

著者

• 菊地 修司

  (株)日立製作所生産技術研究所

• 嶋瀬 朗

  株式会社ルネサステクノロジ実装・テスト技術統括部

• 菊地 修司

  株式会社 日立製作所 生産技術研究所

• 小宮 泰麿

  株式会社日立製作所生産技術研究所

• 菊地 修司

  株式会社日立製作所生産技術研究所

• 向川 一也

  株式会社ルネサステクノロジ生産本部

• 小宮 泰麿

  株式会社 日立製作所 生産技術研究所

• 嶋瀬 朗

  株式会社 ルネサステクノロジ 生産本部

• 向川 一也

  株式会社 ルネサステクノロジ 生産本部

• 小宮 泰麿

  株式会社日立製作所横浜研究所

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