電子ビーム吸収電流解析によるLSI配線の不良位置特定(LSIシステムの実装・モジュール化技術及びテスト技術,一般)

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概要

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• LSIの微細化・多層化に伴い、困難になりつつある配線やビアの不良位置特定を目的に、電子ビームの集束性と透過性を活用した電子ビーム吸収電流解析装置を開発した。本装置は、汎用SEMとφ200ウエハ対応ステージ、メカニカルプローブ、電流アンプ、マーキング機構で構成される。本装置をTEGおよび製品の解析に適用し、以下のことを確認した。1)試料最表面から5um下までの配線が解析可能2)解析可能な不良抵抗値は2×10^4Ω以上3)製品解析の場合、ネット出力部に強いEBIC反応が生じ、不良ネット解析に活用可能14)不良位置に形成したマークは、FIBに対する視認性および耐久性は良好

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2004-01-29

著者

• 野副 真理

  株式会社日立製作所中央研究所

• 水越 克郎

  株式会社ルネサステクノロジ実装・テスト技術統括部

• 小山田 太郎

  株式会社ルネサステクノロジ実装・テスト技術統括部

• 松本 賢和

  株式会社ルネサステクノロジ実装・テスト技術統括部

• 寄崎 眞吾

  株式会社ルネサステクノロジ実装・テスト技術統括部

• 嶋瀬 朗

  株式会社ルネサステクノロジ実装・テスト技術統括部

• 真島 敏幸

  株式会社ルネサステクノロジ実装・テスト技術統括部

• 小柳 肇

  株式会社日立製作所中央研究所

• 嶋瀬 朗

  (株)ルネサステクノロジ

• 真島 敏幸

  (株)ルネサステクノロジ

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