サブ100-nmディジタルLSIの低消費電力技術(VLSI一般 : ISSCC2004特集)
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概要
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まず、CMOS論理ゲートおよびLSIの動作時消費電力を解説し、動作時消費電力(P_<at>)を構成する各ファクタ(ゲート稼働率、回路規模、電源電圧、動作速度、負荷容量、信号遷移時間、等)を削減する方策およびその具体例(アルゴリズム、アーキテクチャ、回路等の改良)を詳述する.次に、論理ゲートおよびLSIの待機時消費電力を概略し、これまでに開発された代表的な待機時消費電力(P_<st>)の削減技術を詳述し、そのP_<st>削減効果を検討する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-05-13
著者
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