宇宙線中性子によるSRAMのソフトエラー : 微細化に伴うMOSFET共通の問題(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)

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概要

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• SRAMに対して、平地、高地、地下でのフィールド試験から、ソフトエラーの主要因である高エネルギー中性子、熱中性子、α線の寄与の割合を求めた。その結果、0.18μm 8M SRAMでは、熱中性子起因が全体の3/4、高エネルギー中性子起因が1/4、α線起因は無視できることがわかった。また、原子炉での熱中性子照射実験の結果、熱中性子起因ソフトエラーは、対策によって数100分の1にできることがわかった。最後に、これからの本格的なネットワーク社会におけるソフトエラー問題について展望する。

• 2003-04-03

著者

• 永井 泰樹

  原子力機構

• 義家 敏正

  京都大学原子炉実験所

• 高久 圭二

  阪大RCNP

• 永井 泰樹

  大阪大学核物理研究センター

• 櫻井 良憲

  京都大学原子炉実験所

• 石崎 敏孝

  京都大学原子炉実験所

• 小林 一

  ソニー株式会社

• 臼木 秀樹

  ソニー株式会社

• 白石 謙

  ソニー株式会社

• 土屋 博男

  ソニー株式会社

• 元吉 真

  ソニー株式会社

• 高久 圭二

  大阪大学核物理研究センター

• 小林 一

  ソニー

• 臼木 秀樹

  ソニーセミコンダクタ九州

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