低圧CVD-Si_3N_4薄膜内のスピン中心 : 電荷獲捕中心の検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
低圧CVD法にて堆積したSi_3N_4薄膜内の欠陥についてESRを用いて評価した.その結果,液体ヘリウム温度でg値1.9997, 半値幅1.4Gとg値2.0055/半値幅5,5Gの2つの信号を見られた.両者とも30Kを超えると消失する浅いエネルギ準位の欠陥であり,電荷捕獲中心に関係しない.室温ではESR信号は検出されず,紫外線照射によってはじめてg値2.0028/半値幅14GのSiの未結合手(Si-DB;N_3≡Si●)の信号が検出された.このことからSi_3N_4薄膜内にN空孔すなわち弱いSi:Si結合(N_3≡Si:Si≡N_3),ないしはこの結合電子が再分布した双極子型の欠陥(N_3≡Si:^-, ^+Si≡N_3)が存在し,電荷捕獲中心になっていると考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-04-21
著者
関連論文
- 3a-J-5 Poly Si薄膜内欠陥の水素終端 : 昇温熱脱離と電子スピン共鳴による検討
- 低圧CVD-Si_3N_4薄膜内のスピン中心 : 電荷獲捕中心の検討
- MNOS不揮発性メモリ-素子における蓄積電荷分布と2トラップモデル
- 1)CCDの動作原理と画像処理シミュレーション(第37回テレビジョン電子装置研究会)
- MONOS不揮発性メモリ技術の開発
- MONOS型不揮発性メモリーの開発
- 低圧CVD-Si_3N_4薄膜内の電荷捕獲中心の検討
- 中性ビームアシストエッチング技術の開発
- プラズマプロセスによるSiO2/Siの照射損傷
- 高集積・高信頼256-kb MNOS EEPROM:メモリセルの設計
- 低酸素分圧下における薄いSiO2の酸化機構