MNOS不揮発性メモリ-素子における蓄積電荷分布と2トラップモデル

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概要

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• 応用物理学会の論文

著者

• 加藤 久幸

  日立製作所半導体事業部

• 南 眞一

  (株)ルネサステクノロジ

• 神垣 良昭

  香川大学工学部

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