低圧CVD-Si_3N_4薄膜内の電荷捕獲中心の検討

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• 低圧CVD法にてたい積したSi_3N_4薄膜内の欠陥についてESRを用いて評価した.室温ではたい積後にESR信号は検出されず,紫外線照射によって初めてg値2.0028/半値幅14GのSiの未結合手(Si-DB,N_3≡Si●)の信号が検出された.これはSi_3N_4薄膜内にN空孔すなわち弱いSi:Si結合(N_3≡Si:Si≡N_3),ないしはN空孔の結合電子が再分布した双極子型の欠陥(N_3≡Si:●,●Si≡N_3)が存在し,紫外線照射によって対状態の欠陥(N_3≡Si●,●Si≡N_3)が発生したと考えられる.これらが電子と正孔を蓄積できる両極性の電荷捕獲中心になっていると提案する.ゲート絶縁膜としてSi_3N_4薄膜を用いるMNOS型不揮発性メモリ素子の特性から捕獲中心密度と電荷捕獲機構について検討した.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1994-12-25

著者

• 南 眞一

  (株)ルネサステクノロジ

• 神垣 良昭

  香川大学工学部

• 南 眞一

  (株)日立製作所半導体グループ

• 神垣 良昭

  (株)日立製作所中央研究所

関連論文

• 低圧CVD-Si_3N_4薄膜内のスピン中心 : 電荷獲捕中心の検討
• MNOS不揮発性メモリ-素子における蓄積電荷分布と2トラップモデル
• MONOS不揮発性メモリ技術の開発
• MONOS型不揮発性メモリーの開発
• 低圧CVD-Si_3N_4薄膜内の電荷捕獲中心の検討

スポンサーリンク