中性ビームアシストエッチング技術の開発
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概要
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超LSIの低損傷微細加工技術として中性ビームアシスト(NBA)エッチングの研究を行っている。NBAエッチングでは試料表面にラジカルを吸着させ、ラジカルと試料表面との反応を中性ビームの運動エネルギーでアシストし、異方性加工を行う。中性ビームとラジカルを同時に試料表面に照射する装置構成としてプロトタイプ型、同軸型、タンデム型の装置を開発し、これら装置によりSiO_2膜エッチング特性および低損傷性の評価と大口径化の検討を行った。絶縁膜の耐圧劣化を誘起せず高異方性なエッチングが可能であり、エッチング速度76nm/分、エッチング均一性約±8%(8インチ径)の結果を得た。
- 1995-10-20
著者
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