Si/SiO_2界面歪緩和によるトンネル酸化膜の信頼性向上(高温希釈ウエット酸化プロセスの検討)

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
フラッシュメモリの高信頼性化にはトンネル酸化膜のストレスリーク電流、電荷トラップ、磨耗破壊寿命などの電気特性の向上を同時に達成する必要がある。Si/SiO_2界面近傍のSi-O-Si結合の歪緩和を目的として高温で且つ高希釈条件のウエットRTOプロセスの開発を行い、その結果としてトンネル酸化膜の信頼性向上が期待通りに達成できたので報告する。また、光電子分光法(XPS)による酸化膜構造解析の結果から高温希釈ウエット酸化膜はSi/SiO_2界面近傍のSi-O-Si結合の歪緩和がなされている結果も確認できたので同時に報告する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1996-05-23

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク