多層化MMICによる方向性結合器とミリ波回路への応用
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概要
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GaAs基板上に金属・誘電体薄膜を積層形成する多層化MMICの特徴を利用した積層化方向性結合器を提案する.本結合器は3dBの密結合を小形にかつ低損失に実現でき,その設計自由度も高い.また本論文では,提案した積層化方向性結合器を用いることにより,ミリ波帯可変減衰器,平衡変調器更には無限移相器が実現できることを示す.これらはミリ波帯振幅/位相制御回路として,通信用高周波回路の高機能化・多機能化に重要な役割を有しており,その小形化・MMIC化の意義は大きい.設計・試作した積層化方向性結合器は40GHz帯(36〜44GHz)において,占有面積0.45mm^2,結合度4.0±0.2dB以内が得られ,また設計値と実測値もよく一致した.更に,設計・試作した振幅/位相制御回路を良好な動作を示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-25
著者
-
馬場 清一
ATR光電波通信研究所(現在 三洋電機)
-
今井 伸明
ATR光電波通信研究所
-
今岡 俊一
ATR環境適応通信研究所
-
皆川 晃
ATR光電波通信研究所
-
今岡 俊一
ATR光電波通信研究所
-
馬場 清一
Atr光電波通信研究所
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