ブリッジ型MMICスイッチの反射特性改善について
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概要
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我々は、これまでにマイクロ波帯およびミリ波帯において低挿入損失と高アイソレーション特性を得るために新たにブリッジ型スイッチ回路を提案し、MMICの試作によって良好な挿入損失とアイソレーションの特性を確認した。しかし、このスイッチのON時の反射特性は10dB程度で、改善する必要があった。今回、FETのゲート幅による反射特性の最適化を試み、試作の結果、所望の改善効果が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
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