LN結晶の組成・ドープと電気光学特性 : 次世代光通信デバイスへの適用検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ニオブ酸リチウム結晶(LN)の電気光学定数の不定比組成(Li/Nb比)依存性、結晶中へのCe, Fe, およびErイオンドーピング効果についての詳細な研究を行った。ニオブ酸リチウムの電気光学定数r_33は、光源としてHe-Neの633nmを用いて測定したところ、Li/Nb比の増加につれて増大し、1:1(ストイキオメトリック組成)に近い場合は、市販されているコングルエント組成の結晶場合(32.6pm/V)の1.14倍になった。また、結晶中にCe、Feをドープすることにより30%近いr_33の増大がみられる。実際に光通信へ応用する際には、長波長側の特性が重要であることから、He-Neの1150nmにおける測定も行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-11-09
著者
-
中島 啓幾
早稲田大学大学院先進理工学研究科
-
中島 啓幾
早稲田大学先進理工学研究科
-
中島 啓幾
早稲田大学
-
北村 健二
科学技術庁無機材質研究所
-
渡邊 正人
早稲田大学理工学総合研究センター大学院理工学研究科理工学部
-
北村 健二
株式会社SWING
-
北村 健二
物材機構
-
古川 保典
(株)オキサイド
-
近藤 由紀子
早稲田大学理工学総合研究センター大学院理工学研究科理工学部
-
古川 保典
株式会社オキサイド
-
幸 雅洋
早稲田大学 理工学部
-
福田 武司
早稲田大学理工学総合研究センター大学院理工学研究科理工学部
-
山下 友里
早稲田大学理工学総合研究センター 大学院理工学研究科 理工学部
-
高野 徹朗
早稲田大学理工学総合研究センター 大学院理工学研究科 理工学部
-
中島 啓機
早稲田大学理工学研究科
-
北村 健二
独立行政法人物資・材料研究機構
-
高野 徹朗
早稲田大学理工学総合研究センター大学院理工学研究科理工学部
-
山下 友里
早稲田大学理工学総合研究センター大学院理工学研究科理工学部
関連論文
- 電界制御Y分岐によるLiNbO_3 MZ変調器の消光比改善(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 電界制御Y分岐によるLiNbO_3 MZ変調器の消光比改善(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 電界制御Y分岐によるLiNbO_3 MZ変調器の消光比改善(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- Ti拡散ErドープLiNbO_3導波路の光増幅特性と光デバイス応用(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-5 ErドープLiNbO_3結晶へのTi拡散による導波路形成と光増幅特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 光学用酸化物結晶の育成
- フォトニッタネットワークとLiNbO_3(LN)デバイス : なぜ、LNは基幹通信網に生き残っているのか(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- Mg:SLTを用いたQPM波長変換光源の開発
- 紫外・真空紫外非線形光学応用BaMgF_4単結晶の育成と評価
- 02aA05 Growth of BaMgF_4 single crystals for UV/VUV all solid-state lasers(NCCG-36)
- LiNbO_3, LiTaO_3の不定比欠陥制御による拡散・熱伝導特性への影響 : 材料基礎からデバイスへの応用
- SLN・SLT (特集 機能性単結晶の最近の進展)
- LN, LTのエッチングによるナノ表面加工(機能性結晶III)
- Tiドープ定比LiNbO_3結晶の育成と屈折率変化(機能性結晶III)
- リチウムに富んだ溶液から育成したニオブ酸リチウム単結晶の評価(機能性結晶III)
- Li_2O-Nb_2O_5系融液特性の組成依存性と二重るつぼ中の対流実験シミュレーション : バルク成長シンポジウム
- 定比LiTaO_3結晶におけるキュリー温度と結晶組成 : バルク成長I
- ホログラム用定比ニオブ酸リチウム単結晶の育成 : バルク成長I
- マルチカラー不揮発ホログラムメモリ
- 擬似位相整合波長変換素子用材料の開発
- 非線形光学素子への応用におけるMg添加定比LNの特徴 : バルク成長IV
- 定比LN・LTにおけるフォトクロミズムとホログラムへの応用 : バルク成長IV
- 定比LTを用いた3mm厚バルク周期分極反転素子の作製 : バルク成長IV
- 21世紀通信情報技術を支える光機能単結晶--単結晶の欠陥制御と特性の改善 (特集 21世紀の材料革命--無機材質研究所)
- 特集 最近の半導体と製造装置(3)光情報通信技術を支える強誘電体単結晶の開発
- 24aA4 Stepanov法によるSBN単結晶育成(バルク成長VI)
- 22aA8 定比組成LiNbO_3単結晶の欠陥構造と光損傷・光吸収特性(バルク成長II)
- 帯域可変スペクトルシェイパによる光スペクトル信号処理
- B-12-12 接着リッジ導波路型疑似位相整合波長変換モジュール(B-12.フォトニックネットワーク,一般セッション)
- 光通信用導波路波長変換デバイスの高効率化
- C-3-1 Mg:SLNを用いた広帯域光変調器(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- ZnドープLiNbO_3を用いた擬似位相整合差周波発生波長変換デバイス(フォトニックネットワーク用デバイス技術,及びその応用,一般)
- 定比組成LiNbO_3/LiTaO_3における分極反転とデバイス応用
- LiNbO_3の周期分極反転における選択的核成長
- 光機能性定比組成LN/LTのビジネス展開
- 定比組成ニオブ酸リチウム結晶に対するTi拡散と導波路形成
- 紫外波長変換をめざした擬似位相整合水晶
- Auミラーを用いた共振型LiNbO_3光変調器の高効率・小型化
- Er添加LiNbO_3結晶Ti拡散導波路の光増幅特性と往復逓倍光変調器への応用(デバイス技術,光・無線融合技術をベースとするシステムとデバイス論文)
- Ti拡散ErドープLiNbO_3導波路の光増幅特性と変調器への応用
- B-12-10 LiNbO_3変調器を用いた光強度・位相変調による光符号生成(B-12.フォトニックネットワーク,一般セッション)
- 並列型LiNbO_3光変調器のバイアス制御方法に関する検討(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 並列型LiNbO_3光変調器のバイアス制御方法に関する検討(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- BaTi (Si, Ge)_3O_9の相安定性と発光特性
- ランガサイト相における第二高調波強度及びラマンシフトの温度依存性
- Ba_2TiSi_2O_8ナノ結晶化ガラスの光学特性に及ぼす熱処理温度の影響
- 6)定比組成LiNbO_3を用いたディジタル体積ホログラム記録(画像情報記録研究会)
- 定比組成LiNbO_3を用いたディジタル体積ホログラム記録
- 定比組成LiNbO_3を用いたディジタル体積ホログラム記録
- 定比組成LiNbO_3を用いたディジタル体積ホログラム記録
- 定比組成LiNbO_3を用いたディジタル体積ホログラム記録
- フォトニックネットワークを構築する光回路技術とは何か : 光集積はもとより、光「集散」を(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- Auミラーを用いた共振型LiNbO_3光変調器の高効率・小型化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- Auミラーを用いた共振型LiNbO_3光変調器の高効率・小型化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 高次の複合グレーティングによる波長フィルタ
- LN結晶の組成・ドープと電気光学特性 : 次世代光通信デバイスへの適用検討
- LN結晶の組成・ドープと電気光学特性 : 次世代光通信デバイスへの適用検討
- LN結晶の組成・ドープと電気光学特性 : 次世代光通信デバイスへの適用検討
- C-3-5 高次の複合グレーティングによら波長フィルタの構造解析
- 溶媒置換によるゲル固定薄膜型コロイド単結晶の回折波長チューニング
- 17aD10 遠心沈降コロイド結晶における結晶-非結晶相界面での局所平衡(結晶成長基礎(2),第35回結晶成長国内会議)
- C-3-4 FROGによる超短光パルスの周波数領域制御(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 変換と整合
- 微小光学研究グループ
- 光接続における実装の現状
- C-3-77 LiNbO_3位相変調器の低周波領域における周波数特性評価(光変調器,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- B-12-14 LiNbO_3変調器による光符号生成(1) : 光符号化用パルスの形状の検討(B-12.フォトニックネットワーク,一般セッション)
- B-12-13 LiNbO_3変調器による光符号生成(2) : 受光後のしきい値処理に関する検討(B-12.フォトニックネットワーク,一般セッション)
- LiNbO_3の不定比欠陥と光学特性
- Ti拡散ErドープLiNbO_3導波路の光増幅特性と光デバイス応用(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- Ti拡散ErドープLiNbO_3導波路の光増幅特性と光デバイス応用(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- Ti拡散ErドープLiNbO_3導波路の光増幅特性と光デバイス応用(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- LiNbO_3の周期分極反転における選択的核成長
- B-8-12 光空間伝送の専用回線における動画伝送遅延の測定(B-8.通信方式,一般講演)
- 25pRF-2 高効率周期分極反転光導波路を用いた通信波長帯パルス光のスクイージング(25pRF 量子エレクトロニクス(光量子情報処理),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- ポリマー光導波路型湿度センサー
- パネル討論『ここまできた光スイッチ』
- 集積光技術の歩みとこれからの展開
- パネル討論『総合技術として見た光実装の革新はどうあるべきか?』
- D-11-83 コニカルビーム走査を用いた全方位三次元距離計測(D-11.画像工学D(画像処理・計測),一般講演)
- C-3-56 多モード導波路中のモード変換を用いた波長弁別素子
- C-3-95 多モード導波路中のモード変換を用いた光波長フィルタ
- 電気光学効果光スイッチ(フォトニックネットワークとGMPLS特集2 : フォトニックネットワークシステムとキーデバイス)
- 光スイッチ用材料としてのLiNbO_3系結晶の見直し
- SB-7-1 超高速外部変調器の低駆動電圧化と SLN 結晶
- 光ファイバ光学系によるガス吸収スペクトルの計測
- B-12-23 ニオブ酸リチウム変調器を用いた光符号生成における識別可能な符号数に関する検討(B-12.フォトニックネットワーク,一般セッション)
- C-14-13 電界制御Y分岐LiNbO_3変調器によるTwo-tone光連続生成(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- LiNbO3の不定比性と欠陥構造
- 電気光学結晶のr定数精密測定への課題(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- 電気光学結晶のr定数精密測定への課題(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- B-12-5 ニオブ酸リチウム変調器とスペクトル制御デバイスを用いた光符号ラベル生成・処理(B-12. フォトニックネットワーク,一般セッション)
- C-3-6 アクティブY分岐による高消光比LN-MZ変調器とその応用(光変調器波導路デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- B-12-5 LiNbO_3変調器を用いたQPSK光符号ラベル生成(B-12.フォトニックネットワーク,一般セッション)
- B-12-4 LiNbO_3変調器とスペクトルシェイパを組み合わせた可変光符号ラベル生成・処理(B-12.フォトニックネットワーク,一般セッション)
- C-3-52 アクティブY分岐MZ型LiNbO_3変調器の高消光比化に向けた導波路構造(光変調器,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-37 後方入射光を用いた高消光比LN変調器のバイアス制御(C-3.光エレクトロニクス)
- C-3-36 光コム生成用変調器のためのチャープパラメータ精密測定(C-3.光エレクトロニクス)
- B-12-4 LiNbO_3変調器を用いたQPSK光符号ラベル生成(2)(B-12.フォトニックネットワーク)
- B12-3 LiNbO_3変調器を用いたQPSK+F484光符号ラベル生成(1)(B-12.フォトニックネットワーク)