並列型LiNbO_3光変調器のバイアス制御方法に関する検討(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
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概要
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我々のグループでは,LiNbO_3光変調器の基本構造となるマッハツェンダ型干渉構造の光入射側のY分岐部分に新たな電極を設置することで,光変調器の消光比を改善する報告を行った.今回これらの方法を多値変調技術に応用することを考え,並列型マッハツェンダ構造を有するLiNbO_3光変調器でのバイアス制御方法についてシミュレーションを行い確認した.また新たな電極構造を設置すると,その電極から発生する電界により光の位相変化が生じるため,その位相変化を考慮したバイアス制御方法が必要となる.本研究では実際にその位相変化の影響を実験によって確認し,その構造を並列型LiNbO_3光変調器の構造に導入するためのバイアス制御方法について検討した.
- 2010-06-18
著者
-
川西 哲也
情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター
-
土屋 佑太
早稲田大学大学院先進理工学研究科
-
中島 啓幾
早稲田大学大学院先進理工学研究科
-
川西 哲也
情報通信研究機構
-
川西 哲也
情報通信研究機構(nict)
-
中島 啓幾
早稲田大学先進理工学研究科
-
中島 啓幾
早稲田大学理工学部
-
中島 啓幾
早稲田大学
-
坂本 高秀
(独)情報通信研究機構
-
坂本 高秀
情報通信研究機構
-
川西 哲也
独立行政法人 情報通信研究機構
-
川西 哲也
(独)情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター
-
中島 啓幾
早稲田大学大学院 先進理工学研究科
-
坂本 高秀
情報通信研究機構(nict)
-
土屋 佑太
早稲田大学先進理工学研究科
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