乱流媒質に囲まれた導体円柱のバイスタティックレーダ断面積の数値解析
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概要
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乱流媒質に囲まれた散乱体のバイスタティックレーダ断面積を求める場合, 媒質中のグリーン関数の4次モーメントの解析が必要である.近年, 多重座標漸近展開により, その4次モーメントが解析された.本稿では, この4次モーメントの近似解を用いて導体円柱のバイスタティックレーダ断面積を解析する.そして, その断面積の数値例を示し, この近似法の妥当性や適用範囲について検討する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-22
著者
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