樹状突起スパインにおける活動電位逆伝搬の役割

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概要

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近年、大脳新皮質や海馬の神経細胞において、活動電位は軸索小丘で生成され、それから樹状突起に逆伝搬することが明らかにされた。また、Markramらはシナプス入力によるEPSPと後シナプスへ伝搬してくる活動電位のタイミングによって入力を受けたシナブスの伝達効率が長期にわたって変化することを明らかにした。すなわち、活動電位がEPSPより10msec先に後シナプスに到達するとシナプス強度は減少するが、EPSPより10msec遅れて後シナプスに到達するとシナプス強度が増加することを明らかにした。本論文は、アクティブな樹状突起を持つモデルニューロンを用いて、樹状突起を逆伝搬する活動電位が後シナプスに到達する時間とEPSPが生成されるシナプス入力時間のタイミングを変化させることにより、後シナプスにおいてどのようなシナプス修飾が行われるかを計算機シミュレーションによって明らかにする。
社団法人電子情報通信学会の論文
1999-03-18

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