セミリジッド型同軸ケーブルプローブの電界検出特性と侵襲性
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概要
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セミリジッド型電界ブローブは近傍電界プローブとしても用いられているが、近傍電界分布は解析結果と必ずしも一致しないことが明かとなっている.本研究では,非侵襲性プローブを開発するための基礎検討として、セミリジッド型同軸ケーブル電界プローブの電界検出特性と侵襲性の原因について明らかにした.50Ω伝送系PCB上の電界分布をFDTD法のシミュレーションと実験により求めたところ両者は一致せず、プローブによって電界分布が乱されていることが明らかとなった.また、プローブを含めたFDTDシミュレーションでは、プローブ終端の電界E_xの分布と実験結果が一致し,セミリジッド型電界プローブ構造を含めた電磁界解析は実際の測定値と一致する解析が可能である.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-21
著者
-
井上 浩
秋田大学 工学資源学部
-
井上 浩
秋田大学
-
春日 貴志
長野工業高等専門学校
-
春日 貴志
秋田大学 工学資源学部
-
鎌田 伸二
秋田大学 工学資源学部
-
Kasuga Takashi
Nagano National College Of Technology
-
井上 浩
秋田大学 大学院工学資源学研究科
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