単一モード光ファイバにおけるファイバヒューズ発生機構の検討
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概要
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単一モード光ファイバにおけるファイバヒューズ現象の発生機構を解明するために,ファイバ内での非定常な熱伝導状態を数値計算により調べた.計算に際しては,1050℃以上の高温で熱イオン化により電気伝導度が増加するというモデルを想定した.その結果,コア中心部の温度が1000℃以上の場合,1Wの光パワーを入射すると10000K以上にコア中心が急加熱されることがわかった.この急加熱現象はコア部が空洞化して光が光源に向かって進行する場合にも起こり,ファイバヒューズとして知られる現象の発生原因と考えられた.この急加熱現象は入射光パワーの低減,若しくは光ファイバの規格化周波数の低減により抑制できることがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-03-01
著者
-
首藤 義人
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
長瀬 亮
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
浅川 修一郎
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
-
長瀬 亮
日本電信電話(株)武蔵野研究所
-
柳 秀一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
浅川 修一郎
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
-
柳 秀一
NTTフォトニクス研究所
-
首藤 義人
日本電信電話(株) フォトニクス研究所
-
柳 秀一
日本電信電話株式会社NITフォトニクス研究所
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