窒素プラズマに照射したSi基板上に形成された酸化膜の熱酸化特性とその信頼性

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概要

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• 窒素プラズマに照射したSi基板上に形成されたSiO_2の熱酸化特性、及びその信頼性について評価を行った。窒素プラズマに照射していないSi基板上に、90秒間の急速熱酸化により110ÅのSiO_2が成長した。一方、軽いプラズマ窒化、または激しいプラズマ窒化を行ったSi基板上にはそれぞれ92Å、61ÅのSiO_2が同様の熱酸化時間に成長した。これらのSiO_2の熱酸化レートの低下は、窒素プラズマの照射により窒素原子がSiO_2界面で酸化反応を抑制した結果に起因すると考えられる。また、窒素プラズマに照射していないSiO_2では-5×10^<-7>A/cm^2、100secの電流ストレスにより-6MV/cmのゲート電界でのトンネル電流は-3A/cm^2から-13.6A/cm^2に増加した。一方、軽くプラズマ窒化したSiO_2は同様の電流ストレスを加えてもトンネル電流の増加は確認されなかった。

• 1999-07-22

著者

• 黒木 幸令

  九州大学大学院 システム情報科学研究院 電子デバイス工学部門

• 池田 晃裕

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 高木 憲一

  九州大学大学院システム情報科学研究科電子デバイス工学専攻

• 黒木 幸令

  九州大学大学院システム情報科学研究院電子デバイス工学部門

• 藤木 千香

  九州大学大学院システム情報科学研究科

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