V字溝型ゲートMOSFETの作製と電気特性の評価
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概要
著者
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黒木 幸令
九州大学大学院 システム情報科学研究院 電子デバイス工学部門
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池田 晃裕
九州大学大学院システム情報科学研究院
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黒木 幸令
九州大学大学院システム情報科学研究院電子デバイス工学部門
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PERERA Rohana
九州大学大学院システム情報科学府電子デバイス工学専攻
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