多層ガラスセラミック基板型微小磁界プローブを用いたデカップリング回路の評価
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概要
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製作精度の高いガラスセラミック多層基板を用いた微小シールディドループプローブを開発した。これは筆者らが以前開発した多層プリント基板型磁界プロープをさらに小型化(検出部外形:1mm×2mm)したものであり, 空間分解能は当社従来比4倍の250μmが得られた。また、高周波ガラスセラミック基板の採用や同軸ケーブルとの接続部のストレート結線化等の改良により、3GHzまでの高周波計測が可能になった。本プローブを用いて、LSIの電源端子に接続されているデカップリングコンデンサのLSI側および電源側のそれぞれの高周波電源電流を実測した結果、デカップリングコンデンサの効果を定量的に評価できることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-11-10
著者
-
玉置 尚哉
日本電気(株)
-
増田 則夫
日本電気(株)
-
玉置 尚哉
日本電気株式会社生産技術研究所実装設計テクノロジーグループ
-
増田 則夫
日本電気株式会社生産技術研究所実装設計テクノロジーグループ
-
石坂 和吉
日本電気真空硝子(株)
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