ウェーハレベルCSP技術による高性能インダクタ内蔵化技術の検討
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概要
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RF ICに内蔵されるインダクタの高性能化が要求されている.ICのAl配線をスパイラル状に巻いたインダクタが多く用いられているがAlの物理的特性(導電率)を上回る高性能(High Q)インダクタを作ることは困難である.ICの配線技術でCuを用いる物もあるが, 大型配線技術, コスト等一般化するにはまだ課題がある.本稿ではウェーハレベルCSP技術に用いられるCuの配線技術を応用したスパイラル型インダクタを提案し, その評価結果について報告する.
- 2002-01-10
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