W-CDMA用InGaP/GaAsHBT電力増幅器のバイアス回路周波数特性とACLR非対称性の関係(学生研究会/マイクロ波シミュレータ/一般)
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概要
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W-CDMAなどデジタル無線通信用電力増幅器で観測される隣接チャンネル漏洩電力(Adjacent Channel Leakage power Ratio)の非対称性の発生メカニズムを理論的および実験的に解析した。この結果、4MHz、8MHzといったチップレイトの一倍、二倍の周波数におけるバイアス回路インピーダンスを同時にショートとすることによってその非対称性が改善できることを示し、ACLRの非対称差を8.37dBから5.05dBに、また3次相互変調歪み(3^<rd> Inter Modulation Distortion)の非対称差も10.5dBから1.8dBへと低減させることができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-09-07
著者
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