陽荷電ミセル界面に可溶化された1-(2-ピリジルアゾ)-2-ナフトールとバナジウム(V)との錯形成反応速度
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概要
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荷電ミセル界面における錯形成反応の機構をストップドフロー法で速度論的に検討した.第4級アンモニウム塩による1-(2-ピリジルアゾ)-2-ナフトールの可溶化曲線から配位子は荷電ミセル界面近傍に存在し,ここが反応場であると推測された.錯形成速度定数の第4級アンモニウム塩濃度依存性より大部分の配位子はその錯形成基を荷電ミセル界面に向けて配向しており,このような状態の配位子とバナジウム(V)との錯形成速度は第4級アンモニウム塩の親水性頭部構造に依存することを認めた.又,錯形成速度定数のpH依存性及び錯形成速度に対するミセル電荷の静電的効果からバナジウム(V)の主反応成分は中性の分子種,HV03であることを示した.
- 1978-01-05
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