(CoFeB)-(SiO_2)高電気抵抗膜の異方性磁界と鉄損

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概要

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• Highly resistive (CoFeB)-(SiO_2) films were deposited on glass substrates by conventional rf-cosputtering as thin-film cores for micro power devices. The effects of annealing on the magnetic properties and resistivity were investigated, and showed a possibility of controlling the permeability and core loss of the films by induced anisotropy. The films exhibited low coercivities of 0.2-0.5 Oe, together with high resistivities of about 400 μΩ cm and high relative permeability of more than 1000. The core loss of the films was about 1.5 J/m^3 at 1 MHz for a maximum flux density of B_m=0.1 T. The films have good potential for use as thin film cores.

• 2001-04-15

著者

• 八木 正昭

  崇城大学(旧名熊本工業大学)エネルギーエレクトロニクス研究所

• 八木 正昭

  崇城大学(旧名 熊本工業大学)

• 宗像 誠

  崇城大学(旧熊本工業大学)・エネルギーエレクトロニクス研究所

• 島田 寛

  東北大学・多元物質研究所

• 荒井 薫

  みやぎ産業振興機構

• 荒井 薫

  (有)ハヤマ

• 古城 圭一

  崇城大学(旧熊本工業大学)・エネルギーエレクトロニクス研究所

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