漸化式を用いる複素変数のベッセル関数I_n(z)の数値計算
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
The recurrence techniques are useful for computing the value of I_n(z) or J_n(z) with complex argument as well as that with real argument. The approximate value of I_n(z) is given by I_n(z)≃(e^zG_m(Z))/(?^^m__<k=0>ε_kG_k(z)), ε_k=[Numerical fomular], where G_<m+1>(z)=0, G_m(z)=α≠0(α:an arbitrary constant) and then G_<m-1>(z), G_<m-2>(z), ..., G_n(z), …, G_1(z), G_0(z) are the values obtained by the successive application of the recurrence relation G_<k-1>(z)=((2k)/z)G_k(z)+G_<k+1>(z). The larger the value of the integer m, the higher the accuracy in the approximate value of I_n(z). However, in order to compute the value of I_n(z) with a given accuracy as efficiently as possible, the value of m must be chosen minimum. In this paper is obtained for a given value of z the minimum value M of m in the computation of I_n(z) with a desired accuracy. Also for convenience of the actual computation, we could give a simple function of R_e(z) and I_m(z)for M.
- 一般社団法人情報処理学会の論文
- 1973-01-15
著者
-
梅野 正義
名大・工
-
浅野 道雄
名古屋大学工学部電子工学科
-
梅野 正義
名大工
-
三木 七郎
名大・工
-
吉田 年雄
名古屋大学工学部電子工学科
-
梅野 正義
名古屋大学工学部電子工学科
-
三木 七郎
名古屋大学工学部電子工学科
関連論文
- 5p-U-4 Pb_Sn_xTe中のキャリヤと炭酸ガスレーザー光の相互作用
- 6a-KL-1 低温におけるp-Geのphoton drag効果
- 24a-P-12 NaNO_2のブリルアン散乱
- 3a-C-12 Ca_2Sr(C_2H_5CO_2)_6のBrillouin scattering II
- 12p-P-2 Ca_2Sr(C_2H_5CO_2)_6 の Brillouin Scattering
- 10p-L-10 円柱状YIG単結晶を伝搬するスピン波の不安定現象
- 電界効果型ソジコン : 半導体 : 理論と不安定性
- 半導体プラズマの軸方向分布(III) : 半導体 : 理論と不安定性
- 9p-F-8 磁場中のCarrier損失
- 9p-F-5 局部磁場オシリスターの発振モード
- Oscillistor発振のmode : 半導体(ホット・エレクトロン, プラズマ)
- 半導体プラズマの磁場中拡散 : 半導体(ホット・エレクトロン, プラズマ)
- 電界効果型オシリスター : 応用半導体
- 磁場中半導体プラズマの軸方向分布 : 応用半導体
- 半導体プラズマのマイクロ波Doppler効果 : 応用半導体
- オシリスターの局部磁場特性(半導体(プラズマ))
- 歪超格子/GaPを中間層としたSi基板上のGaAs結晶成長 : エピタキシーII
- 漸化式を用いる複素変数のベッセル関数I_n(z)の数値計算
- xが小さい場合の一般化された余弦積分関数∫^∞_xt^cos tdtおよび正弦積分関数∫^∞_xt^sin tdtの数値計算
- xが大きい場合の不完全ガンマ関数Γ(ν,χ)の数値計算
- xが大きい場合のベッセル関数Y_ν(x)の数値計算
- xが小さい場合の不完全ガンマ関数Γ(ν, x)の数値計算
- xが小さい場合のベッセル関数Y_ν(x)の数値計算
- $x$が小さい場合の不完全ガンマ関数$\Gamma(v,x)$の数値計算 (数値計算のアルゴリズムの研究)
- xが大きい場合の変形ベッセル関数K_ν(x)の数値計算
- xが小さい場合の変形ベッセル関数K_ν(x)の数値計算
- τ-methodによる複素変数のベッセル関数K_n(z)の数値計算
- 7a-G-13 n-InSbの強電場効果IV
- n-InSbの強電場効果(III) : 半導体 : ダイオード,不安定
- Drifting Plasmaの強電場効果(II) : 半導体(不安定性)
- InSbの強電場効果(II) : 半導体(不安定性)
- III-V族化合物半導体からのマイクロ波発振 : 半導体 : 不安定性
- 半導体中のDappler効果III : 半導体 : マイクロ波
- 3p-M-3 CdSにおけるブリュアン散乱(IV)
- 11p-H-14 CdSのサーマルフォノンによるブリュアン散乱(III)
- 5p-H-2 CdS中の低電場における音響電気相互作用と熱的ブリュアン散乱
- 1p-N-9 CdS中の熱的フォノンによる光散乱の高分解能測定
- 半導体のhot electronの速度分布函数の測定 (方法) : 半導体 (プラズマ)
- 3p-H-7 CdSでの高電界効果
- 14p-K-14 Ge中でのPhononのBuild-up,VI
- 22p-H-11 CdS中のドメインからのブリルアン散乱.V
- 方形導波管にそう入されたフェライト円柱の共鳴磁界(技術談話室)
- 7p-W-13 PN接合領域における光電効果V
- 5p-U-14 ホットキャリアによる障壁間での起電力効果
- 11p-F-18 PN接合領域における光電効果 IV
- 5a-R-11 PN接合領域における光電効果III
- 13a-W-10 Siでの電流注入による高密度電子正孔対の生成とその物性II
- 11p-W-9 PN接合領域における光電効果 II
- 6a-KL-2 PN接合領域におけるフォトンドラッグ効果(光電効果)
- 22p-H-10 高出力赤外線レーザー光による半導体の光学的性質
- 3a-M-8 フォトンドラッグ効果(VII)
- 11p-H-11 Photon Drag効果(VI)
- 11p-H-10 Photon Drag効果(V)
- 5a-H-9 Photon Drag効果の実験(III)
- 5a-H-8 Photon drag効果のメカニズム
- 1p-N-10 P-GeのPhoton Drag効果
- 9a-B-6 CO_2レーザ光によるP型Geの光伝導特性
- 大注入plasmaにおけるlife time : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
- G.Bauer, G.Borstel, H.J.Faige and A.Otto : Solid-State Physics, Springer-Verlag, Berlin an dHeidelberg, 1974, iv+153ページ, 24×26cm, 13,260円, (Springer Tracts in Modern Physics, Vol. 74)
- 22p-H-12 半導体中での高密度電子 : 正孔対の生成とその物性I
- 3p-H-11 Ge中でのPhononのBuild-up VIII
- 14p-K-15 Ge中でのPhononのBuild-up,V
- 14p-K-7 SOGICONの電流飽和現象 III
- 7a-G-5 SOGICONの電流飽和現象II
- 7a-G-4 Geでのphononのbuild-up IV
- Sogiconの電流飽和現象 : 半導体 : ダイオード,不安定
- Ge中でのphononのbuild up III : 半導体 : ダイオード,不安定
- 半導体中でのphononのbuild up(II) : 半導体(不安定性)
- 半導体の強電場効果 : ドリフト速度の異常性 : 半導体 : 不安定性
- 5a-A-8 磁場中ダイオードの順逆方向に現われる発振現象
- 半導体のプラズマ効果 : 半導体
- 9p-F-7 プラズマ密度に対するlife timeの変化
- 半導体プラズマのDreft Doppler : 半導体 : 理論と不安定性