3p-M-3 CdSにおけるブリュアン散乱(IV)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1973-04-03
著者
-
梅野 正義
名大・工
-
梅野 正義
名大工
-
三木 七郎
名大・工
-
高木 克明
名大・工
-
脇田 紘一
名大工
-
三木 七郎
名古屋大学工学部電子工学科
-
高木 克明
名大工
-
鷲山 幾男
名大工
-
三木 七郎
名大工
-
鷲山 幾男
名大・工
関連論文
- 5p-U-4 Pb_Sn_xTe中のキャリヤと炭酸ガスレーザー光の相互作用
- 6a-KL-1 低温におけるp-Geのphoton drag効果
- 24a-P-12 NaNO_2のブリルアン散乱
- 3a-C-12 Ca_2Sr(C_2H_5CO_2)_6のBrillouin scattering II
- 12p-P-2 Ca_2Sr(C_2H_5CO_2)_6 の Brillouin Scattering
- 10p-L-10 円柱状YIG単結晶を伝搬するスピン波の不安定現象
- 電界効果型ソジコン : 半導体 : 理論と不安定性
- 半導体プラズマの軸方向分布(III) : 半導体 : 理論と不安定性
- 9p-F-8 磁場中のCarrier損失
- 9p-F-5 局部磁場オシリスターの発振モード
- Oscillistor発振のmode : 半導体(ホット・エレクトロン, プラズマ)
- 半導体プラズマの磁場中拡散 : 半導体(ホット・エレクトロン, プラズマ)
- 電界効果型オシリスター : 応用半導体
- 磁場中半導体プラズマの軸方向分布 : 応用半導体
- 半導体プラズマのマイクロ波Doppler効果 : 応用半導体
- オシリスターの局部磁場特性(半導体(プラズマ))
- 歪超格子/GaPを中間層としたSi基板上のGaAs結晶成長 : エピタキシーII
- 漸化式を用いる複素変数のベッセル関数I_n(z)の数値計算
- 7a-G-13 n-InSbの強電場効果IV
- n-InSbの強電場効果(III) : 半導体 : ダイオード,不安定
- Drifting Plasmaの強電場効果(II) : 半導体(不安定性)
- InSbの強電場効果(II) : 半導体(不安定性)
- III-V族化合物半導体からのマイクロ波発振 : 半導体 : 不安定性
- 半導体中のDappler効果III : 半導体 : マイクロ波
- 3p-M-3 CdSにおけるブリュアン散乱(IV)
- 11p-H-14 CdSのサーマルフォノンによるブリュアン散乱(III)
- 5p-H-2 CdS中の低電場における音響電気相互作用と熱的ブリュアン散乱
- 1p-N-9 CdS中の熱的フォノンによる光散乱の高分解能測定
- 半導体のhot electronの速度分布函数の測定 (方法) : 半導体 (プラズマ)
- 3p-H-7 CdSでの高電界効果
- 14p-K-14 Ge中でのPhononのBuild-up,VI
- 22p-H-11 CdS中のドメインからのブリルアン散乱.V
- 方形導波管にそう入されたフェライト円柱の共鳴磁界(技術談話室)
- 7p-W-13 PN接合領域における光電効果V
- 5p-U-14 ホットキャリアによる障壁間での起電力効果
- 11p-F-18 PN接合領域における光電効果 IV
- 5a-R-11 PN接合領域における光電効果III
- 13a-W-10 Siでの電流注入による高密度電子正孔対の生成とその物性II
- 11p-W-9 PN接合領域における光電効果 II
- 6a-KL-2 PN接合領域におけるフォトンドラッグ効果(光電効果)
- 22p-H-10 高出力赤外線レーザー光による半導体の光学的性質
- 3a-M-8 フォトンドラッグ効果(VII)
- 11p-H-11 Photon Drag効果(VI)
- 11p-H-10 Photon Drag効果(V)
- 5a-H-9 Photon Drag効果の実験(III)
- 5a-H-8 Photon drag効果のメカニズム
- 1p-N-10 P-GeのPhoton Drag効果
- 9a-B-6 CO_2レーザ光によるP型Geの光伝導特性
- 大注入plasmaにおけるlife time : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
- G.Bauer, G.Borstel, H.J.Faige and A.Otto : Solid-State Physics, Springer-Verlag, Berlin an dHeidelberg, 1974, iv+153ページ, 24×26cm, 13,260円, (Springer Tracts in Modern Physics, Vol. 74)
- 22p-H-12 半導体中での高密度電子 : 正孔対の生成とその物性I
- 3p-H-11 Ge中でのPhononのBuild-up VIII
- 14p-K-15 Ge中でのPhononのBuild-up,V
- 14p-K-7 SOGICONの電流飽和現象 III
- 7a-G-5 SOGICONの電流飽和現象II
- 7a-G-4 Geでのphononのbuild-up IV
- Sogiconの電流飽和現象 : 半導体 : ダイオード,不安定
- Ge中でのphononのbuild up III : 半導体 : ダイオード,不安定
- 半導体中でのphononのbuild up(II) : 半導体(不安定性)
- 半導体の強電場効果 : ドリフト速度の異常性 : 半導体 : 不安定性
- 5a-A-8 磁場中ダイオードの順逆方向に現われる発振現象
- 半導体のプラズマ効果 : 半導体
- 9p-F-7 プラズマ密度に対するlife timeの変化
- 半導体プラズマのDreft Doppler : 半導体 : 理論と不安定性