Si結晶成長の欠陥制御技術(<小特集>バルク成長分科会特集 : 結晶の完全性を目指して)

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概要

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• Due to the size reduction of advanced ULSIs to subquarter micron level, the influence of grown-in defects appearing in Czochralski-grown silicon (CZ-Si) crystals on the device performance and yield has been widely recognized. Therefore, grown-in defect free crystals are strongly required. In this paper, we will discuss the generation behavior of grown-in defects, based on results obtained up to the present. In addition, we will argue the possibility of grown-in defect free crystals and show that V/G, i.e., the ratio of a growth rate (V) to an axial temperature gradient (G) in the crystals at high temperatures near the melting point, is a key parameter to realize grown-in defect free crystals in the near future which are equivalent to epitaxial wafers in crystal quality.

• 日本結晶成長学会の論文
• 1998-12-15

著者

• 野町 健

  住友金属工業(株)シチックス事業本部研究開発センター

• 浅山 英一

  住友金属工業(株)シチックス事業本部研究開発センター

• 田中 忠美

  住友金属工業(株)シチックス事業本部研究開発センター

• 西川 英志

  住友金属工業(株)シチックス事業本部研究開発センター

• 宝来 正隆

  住友金属工業(株)シチックス事業本部研究開発センター

• 梅野 繁

  住友金属工業(株)シチックス事業本部研究開発センター

• 梅野 繁

  住友金属工業(株)シチックス事業本部 シリコン製造所研究開発センター

• 宝来 正隆

  株式会社SUMCO生産・技術本部

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