Naフラックスを用いたGaN単結晶の育成(<小特集>バルク窒化物半導体)
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概要
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GaN single crystals with a size of 0.2-2.0 mm were prepared in a stainless-steel tube at 600 to 800℃ from Ga using a Na flux and N_2 from the thermal decomposition of sodium azide, NaN_3. The morphology of the single crystals grown in a Na flux was prismatic or platelet. The crystals were characterized by Auger electron spectroscopy (AES), energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX) and cathodoluminescence spectroscopy. Hall measurements were carried out for platelet single crystals with a size of 0.4-0.7 mm. The polarity was determined by X-ray diffraction using X-ray anomalous dispersion.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1998-09-30
著者
-
島田 昌彦
東北大学多元物質科学研究所
-
山根 久典
Institute Of Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University
-
島田 昌彦
東北大学素材工学研究所
-
山根 久典
東北大学素材工学研究所
-
島田 昌彦
東北大・素材研
-
Yamane H
Tohoku Univ. Sendai Jpn
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