フラーレンとシリコンを用いたNaプラックス法によるβ-SiC粉末の低温合成
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概要
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Silicon carbide (SiC) powder was prepared by heating a mixture of fullerene and silicon powders at 900-1000K for 24h with a Na flux. X-ray and electron diffraction revealed that the obtained powder was β-SiC. The agglomerates of SiC particles with a size of a few dozen nm were observed by transmission electron microscopy. The specific surface area and mean particle size of the SiC powder prepared at 1000K were 12m^2/g and 88nm, respectively.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 2007-01-01
著者
-
山根 久典
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University
-
殷 シュウ
東北大学多元物質科学研究所
-
佐藤 次雄
東北大学多元物質科学研究所
-
山田 高広
東北大学多元物質科学研究所
-
山田 高広
Institute Of Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University
-
山根 久典
Institute Of Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University
-
山根 久典
東北大学多元物質科学研究所
-
川村 文洋
東北大学多元物質科学研究所
-
殷 シュウ
東北大・多元研
-
佐藤 次雄
東北大
-
Yamane H
Tohoku Univ. Sendai Jpn
-
Yamada Takahiro
Toyohashi Univ. Technol. Aichi
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