01aA08 Na蒸気を用いたNaフラックス法による窒化ガリウム単結晶のM面への種結晶成長(半導体バルク(2),第36回結晶成長国内会議)
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概要
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The seeded growth of GaN single crystals was performed at 1173K and a N_2 pressure of 0.8-5.0 MPa by the Na flux method using Na vapor. Transparent colorless crystals were grown on M-plane (10-10) of prismatic GaN seed crystals in a Na-Ga melt. The thickness of the crystals grown on the seeds by heating for 72 h was approximately 150μm in the directions perpendicular to the M plane, implying a growth rate of at least 1μm/h.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-11-01
著者
-
山根 久典
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University
-
山田 高広
東北大学多元物質科学研究所
-
山田 高広
Institute Of Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University
-
山田 高広
東北大学 糖尿病代謝科
-
山根 久典
東北大学 学際科学国際高等研究センター
-
山根 久典
Institute Of Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University
-
Yamane H
Tohoku Univ. Sendai Jpn
-
Yamada Takahiro
Toyohashi Univ. Technol. Aichi
-
山田 高広
東北大学 多元物質科学研究所
-
山根 久典
東北大学 多元物質科学研究所
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