Naフラックス法により合成したGaN単結晶の成長条件と結晶形態
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概要
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Crystal growth of GaN was carried out by the Na flux method at 700-850℃ and 1-5 MPa of N_2 for 200 h. At higher temperatures and lower pressures, only Na-Ga intermetallic compounds are formed. At higher pressures or lower temperatures, the morphology of GaN single crystals depends on the experimental conditions. Hexagonal platelet crystals were obtained at lower temperature and higher N_2 pressure, and hexagonal prismatic crystals grew at higher temperature and lower N_2 pressure. Colorless transparent prismatic single crystals with a size of 1.0×0.5×0.5 mm^3 were synthesized by slowly increasing the growth temperature at a rate of 0.5℃/h from 750 to 800℃ under 3 MPa of N_2.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 2001-10-01
著者
-
皿山 正二
(株)リコー研究開発本部中央研究所第一材料・デバイス研究センター
-
島田 昌彦
東北大学多元物質科学研究所
-
山根 久典
Institute Of Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University
-
山根 久典
東北大学多元物質科学研究所
-
青木 真登
東北大学多元物質科学研究所
-
DISALVO Francis
Department of Chemistry and Chemical Biology, Cornell University
-
青木 真登
東北大 多元研
-
島田 昌彦
東北大・素材研
-
Yamane H
Tohoku Univ. Sendai Jpn
-
Disalvo Francis
Department Of Chemistry And Chemical Biology Cornell University
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