SiCz炉総合熱解析に及ぼす結晶面輻射特性の影響
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概要
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In the global analysis of Si Cz system,only diffuse hypothesis,for the surfaces related to radiation heat transfer,has been used without any proof.In this study,the global analysis of heat transfer in the Cz system with diffuse and specular surfaces was carried out,and the effects of the different radiative characteristics of the surfaces on the Si Cz crystal growth were investigated.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1997-07-01
著者
-
円山 重直
東北大流体研
-
宝沢 光紀
東北大学多元物質科学研究所
-
宝沢 光紀
東北大学反応化学研究所
-
塚田 隆夫
大阪府立大
-
塚田 隆夫
東北大反応研
-
宝沢 光紀
東北大反応研
-
北川 貞雄
JSUP
-
韓 丞晧
東北大反応研
-
今石 宜之
九州大機能研
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