03aA03 単結晶成長プロセスのシミュレーション技術の現状と将来(バルク成長シンポジウム(1),第36回結晶成長国内会議)
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概要
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In single crystal growth of silicon and oxide, it is important to acquire correct knowledge about transport phenomena in the crystal growth furnace and then to control them, because the quality of crystal is closely related to the transport phenomena in the furnace. Numerical simulation is one of the methods to understand the phenomena in the furnace, and recently there has been much interest in the calculation of melt convection and global analysis of heat transfer in the furnace. In this paper, the recent studies on numerical simulations of single crystal growth by the Czochralski method are introduced.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-11-01
著者
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