NF_3/O_2プラズマによるスズ薄膜の低温酸化
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概要
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As a new preparation method of transparent conductive oxide films, plasma oxidation of metallic tin films has been investigated. Although the oxidation did not take place in the absence of nitrogen trifluoride, the addition of nitrogen trigfluoride was found to convert evaporated tin films to hazy transparent films at a low temparature of 125°C. The as-reacted films have low conductivities (about 10-8S·cm-1), mainly because they contain too much fluorine. However, the annealing of the films in air at temperatures higher than 400°C reduced the fluorine contents to several atomic per cents wite respect to tin and the conductivities of the films increased up to 10S·cm-1.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1987-06-01
著者
-
川崎 雅司
東京大学工学部工業化学科
-
鯉沼 秀臣
東京大学工学部
-
苗木 和雄
東京大学工学部工業化学科
-
鯉沼 秀臣
東京大学新領域創成科学研究科
-
苗木 和雄
東京理科大学理工学部工業化学科
-
増渕 清美
東京大学工学部工業化学科(現)(財)材料科学技術振興財団
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