遊離Siを含むSiC焼結体の反応焼結法による接合
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概要
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遊離Siを含むち密質SiC焼結体 (反応焼結品) を反応焼結法により接合するために, まずむくの焼結体を作って接合条件を探った. SiCと炭素の混合粉末を室温で加圧成形後, 1450℃, 真空中で30分間ケイ化することにより, かさ密度3.06g/cm3, 4点曲げ強度53kg/mm2 (520MN/m2) の焼結体が得られた. 反応焼結SiCに含まれる約10wt%の遊離Siは, 1400℃以上で蒸発し, 特に真空中でそれが著しいことを考えると, 1400°-1450℃という従来よりも低い温度でケイ化し, 焼結体が得られることは意味がある.また, この条件で焼結体を接合することができた. 更に混合粉末中にフラン樹脂を入れることにより, 成形時に手で押さえる程度の圧力 (15kg/cm2) で加圧成形でき, 1450℃, 真空中でケイ化することにより平均接合強度34kg/mm2のものが得られた. 接合面近傍の微構造観察から, Si層が接合面に平行にできると強度が低下するので, ケイ化時に接合体が離れないよう固定することが重要であると結論された.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1983-06-01
著者
-
井関 孝善
東京工業大学大学院理工学研究科材料工学専攻
-
井関 孝善
東京工業大学
-
今井 雅三
東京工業大学原子炉工学研究所
-
井関 孝善
東工大原子炉研
-
鈴木 弘茂
東京工業大学
-
今井 雅三
東京工業大学 原子炉工学研究所
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