二次電子放射特性の自動記録装置とその応用 : 表面物理, 薄膜
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1969-03-30
著者
関連論文
- VAMAS-Type CMAによる標準スペクトルへの一歩
- オージュ電子利得の絶対測定 : スペクトルと真空系
- オ-ジェ電子絶対測定用CMA(VAMASタイプ)の作製--CMA内の漏れ磁場補正方式の検討 (第30回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- オ-ジェ電子利得の絶対測定-1-CMAの設計
- フレーム原子吸光法における絶対量測定の応用 : 検量線の適用濃度範囲の拡大
- ペリスタ型ポンプの脈流の特性とその除去
- 銅ニッケル合金のイオン誘起粒界損傷
- イオンスパッタによるコ-ン形成の1つの可能性(Cuの動的観察) (第30回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- 標準CMA分光器で得た絶対オージェスペクトル
- ヒックマン・ポンプの到達真空度特性 : 真空
- SIにつながる真の電子スペクトルを求める実験法(5)
- 講義 SIにつながる真の電子スペクトルを求める実験法(4)
- オージェ電子分光における円筒鏡型標準分光器の作成とその特性
- オージェ電子分光における運動エネルギーの絶対計測
- 絶対オージェ電子分光装置の開発と標準化
- 電子衝撃型試料加熱法
- 絶対オージェスペクトロメトリー
- FFT信号解析装置の製作と1滴法ICPへの応用
- アブストラクト
- アイソレーション・アンプを用いたオージェ電子分光法
- オージェ電子分光法による定量分析
- アブストラクト
- イオンスパッタによるコーン形成の1つの可能性 (Cuの動的観察)
- SIにつながる真の電子スペクトルを求める実験法(3)
- SIにつながる真の電子スペクトルを求める実験法(2)
- SIにつながる真の電子スペクトルを求める実験法(1)
- オージェ電子絶対測定用CMA (VAMASタイプ) の作製 : CMA内の漏れ磁場補正方式の検討
- 雑音平滑化アルゴリズムの検討 : AESにおける測定パラメータ (III)
- オージエ電子利得の絶対測定 (I) : CMAの設計
- AESにおける測定パラメータ (II) : 数値微分法の検討
- AESにおける測定パラメータ (I) : 時定数とS/Nの検討
- 電子ビーム衝撃部への表面吸着硫黄の集中 : 共吸着酸素の影響
- 高速微小電流計の設計と製作
- VAMAS-SCA-WG in Japan活動報告
- 荷電粒子と真空 [II] : 1.多価イオンに関連した原子物理と超高真空技術、2.電子線と表面
- アブストラクト
- アブストラクト
- 「表面と分光学」第6講オージエ電子分光法 (AES) その発見からマイクロプローブAESまで
- 簡単で高安定度の汎用エミッションコントローラー
- オ-ジェ電子分光法の定量化
- 二次電子放出最大深さ決定法としてδ-n解析法の検討 : 表面物理, 薄膜
- 二次電子放射特性の自動記録装置とその応用 : 表面物理, 薄膜
- 拡散ポンプ油および真空グリースの二次電子放射
- 7p-E-1 拡散ポンプ油の二次電子放射
- 有機物で汚れた金属の二次電子放射 : 電子放射
- 拡散ポンプ油DC-704およびOctoil-Sの二次電子放射