筐体内に配置された電波吸収体の効果的な電磁界抑制に対する一検討
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概要
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本論文では, 近傍電磁界に対する電波吸収体の評価法である, 筐体内に電波吸収を配置した場合のQ値の低下率から吸収量を評価する方法に対し, FDTD法による計算値と測定値の比較および筐体内の磁界分布の解析を行った。この結果, 筐体内に電波吸収体としてフェライト材を装荷した場合のQ値の低下率が, 装荷位置を変えた場合においても計算値と測定値において, それぞれ2%以下の違いで良好に一致することにより, この評価法におけるFDTD法の有効性を確認した。さらに, 筐体内部の磁界強度が電波吸収体を装荷することにより, 筐体内全体において抑制されることを定量的に確認することで, 今後の近傍電磁界の効果的な抑制に対するFDTD法の有用性を示すことができた。
- 社団法人エレクトロニクス実装学会の論文
- 2002-09-01
著者
-
橋本 修
青山学院大学
-
和田 光司
青山学院大
-
小玉 和輝
青山学院大学
-
小玉 和輝
青山学院大学理工学部
-
小野 裕司
Necトーキン(株)
-
橋本 修
青山学院大 理工
-
小野 裕司
株式会社トーキン商品開発研究所
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