抵抗膜を用いた電波吸収技術に関する検討 : 面抵抗値60πΩ□の抵抗膜の利用に着目して(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
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概要
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面抵抗値を有する抵抗膜を使った電波吸収技術として,従来の120π Ω□とは異なる60π Ω□の抵抗膜に着目して検討を行い,その吸収特性を確認した.理論的検討より,抵抗膜を金属板近傍に配置した場合,金属との距離や周波数が変化した際には従来の120π Ω□よりも60π Ω□の抵抗膜の方が有効な場合があることが分かった.次に,シールドボックス内の定在波の抑制という観点で面抵抗値60π及び120π Ω□の抵抗膜の性能を評価した.これより,金属板近傍に抵抗膜を配置する際には,従来の吸収体と同じく金属板と抵抗膜の間隔dがλ/4に近いときに最も吸収量が多いことを確認した.さらに,dがλ/2に近い場合においても,吸収量の角度特性によりある程度の吸収性能を得られ,120π Ω□よりも60π Ω□の抵抗膜の方が定在波を抑制できることを確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-07-23
著者
-
橋本 修
青山学院大学
-
原川 健一
(株)竹中工務店技術研究所
-
原川 健一
株式会社竹中工務店技術研究所
-
平岡 遼
青山学院大学理工学部電気電子工学科
-
大場 琴子
青山学院大学理工学部電気電子工学科
-
原川 健一
株式会社 竹中工務店
-
橋本 修
青山学院大学 理工学部 電気電子工学科
-
原川 健一
株式会社竹中工務店 技術研究所
-
平岡 遼
青山学院大学 理工学部 電気電子工学科
-
橋本 修
青山学院大 理工
-
大場 琴子
青山学院大学 理工学部 電気電子工学科
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