水素終端Si(111)におけるCu薄膜形成過程

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 大阪電気通信大学の論文

著者

• 越川 孝範

  大阪電気通信大学

• 安江 常夫

  大阪電気通信大学

• 越川 孝範

  大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所

関連論文

• 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 22pPSB-13 BL17SU/SPring-8におけるLEEM/PEEM成果報告(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aYH-9 BL17SU/SPring-8における光電子顕微鏡の立ち上げ(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 26aYH-9 BL17SU/SPring-8における光電子顕微鏡の立ち上げ(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• リフレッシュ理科教室(関西支部)開催報告
• 表面科学シンポジウム'00(Canada)
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 表面(サブゼミ,第37回物性若手夏の学校(1992年度),講義ノート)
• 17. アルカリハライドからのイオン脱離(名古屋大学応用物理学科,修士論文題目・アブストラクト(1986年度),その2)
• LEEMによる鋼における動的挙動の観察
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 24aPS-118 分光型光電子・低エネルギー電子顕微鏡と放射光を用いる表面研究(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 6p-H-12 中エネルギーイオン散乱法によるCu/Si(111)"5x5"構造の超高分解能解析
• 6p-H-8 中エネルギー反跳H検出法によるSi表面水素の分析
• 14aXD-1 SPring-8 における光電子顕微鏡 SPELEEM の利用(表面・界面磁性, 領域 3)
• 14pXG-2 SPring-8 光電子顕微鏡を用いた In, Co/Si(111) の観察(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 14aXD-1 SPring-8 における光電子顕微鏡 SPELEEM の利用(表面・界面磁性, 領域 9)
• 12aXF-4 Cu/W(110) の量子サイズ効果と PEEM 像のコントラスト(表面界面構造 : 金属・有機化合物, 領域 9)
• 28aWP-11 球面収差除去した高分解能光電子顕微鏡の開発(表面界面構造(半導体))(領域9)
• 絶対仕事関数測定顕微鏡の開発
• 低エネルギー電子顕微鏡と光電子顕微鏡による動的観察と構造解析
• 低エネルギー電子顕微鏡(LEEM)と光電子顕微鏡(PEEM)の表面研究への応用と将来展望
• LEEMによるSi(111)およびH/Si(111)上のCuナノ構造形成過程の動的観察と構造解析
• 低エネルギー電子顕微鏡(LEEM)と光電子顕微鏡(PEEM)の像形成過程と将来展望
• 中エネルギーイオン散乱法による高温におけるCu/Si(111)"5×5"構造の解析
• 第17回表面科学欧州会議(17th European Conference on Surface Science: ECOSS-17)報告
• Na/Si(111)の成長過程と2次イオン放出
• 27aXE-8 水素終端Si(111)上のCu島の構造解析
• 23aW-8 LEEMを用いたSi(111)上でのCuアイランドの形成過程
• オージェ電子分光法による定量分析
• 二次イオン生成過程 : 電子トンネリングモデルと結合破壊モデル
• LEEM/PEEMを用いた表面研究の最前線
• LEEM/PEEMの研究に携わって思うこと
• LEEM/PEEMを用いた表面研究の新しい展開
• イオン分析特集号によせて
• 低エネルギー電子顕微鏡・光電子顕微鏡の最近の発展
• イオン散乱法
• 「走査型トンネル顕微鏡のティップの作製法とその結果」についてのアンケートまとめ
• 共同研究成果報告 LEEM,SPE-LEEM等を用いた超薄膜成長の動的観察
• イオン照射にともなう薄膜合金表面の濃度変化 : イオン照射誘起偏析・拡散
• 走査トンネル顕微鏡による高温Si(111)上のCuの成長過程
• 6p-H-6 スタティックイオン衝撃によるアルカリ/Siにおける2次イオン中性化過程
• 3p-J-6 アルカリ/Siからの2次イオン放出過程
• アブストラクト
• 26a-YR-3 水素終端Si(111)上でのCu島成長過程
• 5p-B-8 水素終端されたSi(111)表面上でのCuの成長
• Cu/Si(111)成長における水素終端効果
• 31p-PSB-53 Cu/Si(111)成長におよぼす水素の影響
• 超高輝度・高偏極・長寿命スピン偏極低エネルギー電子顕微鏡の開発とスピントロニクス薄膜材料への応用
• 中エネルギーイオン散乱法を用いた表面界面研究
• 超平坦金属表面上におけるグラフェン成長その場観察
• Si(111) 表面上でのナノ構造形成過程の観察と構造解析
• 水素終端Si(111)におけるCu薄膜形成過程
• 水素終端Si(111)表面上でのCu薄膜の成長
• W(110)上のCo/Ni多重層における磁気異方性の理論的研究

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク