銅薄膜形成用Hラジカル源付プラズマCVD装置によるH密度と銅含有ラジカル密度の制御
スポンサーリンク
概要
著者
-
金 洪杰
九州大学大学院システム情報科学府電子デバイス工学専攻
-
福澤 剛
九州大学大学院システム情報科学研究科電子デバイス工学専攻
-
中武 靖裕
九州大学大学院システム情報科学研究科電子デバイス工学専攻
-
福澤 剛
北九州高専
-
福澤 剛[他]
九州大学大学院システム情報科学研究科電子デバイス工学専攻
-
福澤 剛[他]
北九州高専
関連論文
- Cu(EDMDD)_2を用いたHアシストプラズマCVD法による高純度銅薄膜形成
- Cu(hfac)_2を用いたプラズマCVDによる銅薄膜の形成機構
- 高品質銅薄膜堆積のためのHラジカル源付プラズマCVD装置の開発
- 大気圧マイクロプラズマジェットによる水素ラジカル源の開発II
- 水素ラジカル源を有するプラズマCVD装置による高品質銅薄膜形成とトレンチ埋め込み
- 水素ラジカル源を有するプラズマCVD装置による高品質銅薄膜形成
- 銅薄膜形成用MOCVDプラズマの特性
- CVDプラズマのパルス変調による気相発生微粒子抑制
- GeH_4およびSiH_4 rfプラズマ中微粒子の形成機構
- 光脱離・電離法によるシランプラズマ中微小微粒子成長過程観測
- プラズマ中微粒子の帯電と挙動
- 微粒子発生を伴う高周波シランガスプラズマに及ぼす放電周波数の影響
- シラン高周波放電中の微小微粒子のサイズと密度その場測定法の開発
- 大気圧マイクロプラズマジェットによる水素ラジカル源の開発
- プラズマCVD法による電気メッキ用銅シード層の形成
- 銅薄膜形成用H原子源付プラズマCVD装置による銅含有ラジカルの表面反応制御
- 気相合成ダイヤモンドの選択成長とメタン高周波プラズマ中炭素ナノクラスタに関する研究
- 気相合成ダイヤモンドの選択成長に関する実験条件の同定(4)
- 気相合成ダイヤモンドの選択成長に関する実験条件の同定(3)
- 電気電子工学科2年学生実験の取り組みについて
- メタンプラズマ中微粒子の検出(3)
- メタンプラズマ中微粒子の検出(2)
- メタンプラズマ中微粒子の検出
- H原子アシストプラズマCVD法による高純度銅薄膜堆積と銅の異方性堆積
- 銅薄膜形成用Hラジカル源付プラズマCVD装置によるH密度と銅含有ラジカル密度の制御
- 熱フィラメントCVD法によるダイヤモンドの気相合成
- プラズマCVDによるLSI配線用銅薄膜作製における結晶サイズの増大と配向性向上の研究
- 大気圧マイクロプラズマジェットの発生機構
- 大気圧マイクロプラズマジェットの発生機構