深いトレンチエッチングとエピタキシャル成長により作製した耐圧500V以上のSJ-MOSFET
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2005-10-27
著者
-
中澤 治雄
富士電機アドバンストテクノロジー
-
高橋 孝太
富士電機at
-
脇本 節子
富士電機アドバンストテクノロジー
-
望月 邦雄
富士電機アドバンストテクノロジー
-
栗林 均
富士電機アドバンストテクノロジー
-
中澤 治雄
富士電機at
-
栗林 均
富士電機at
-
望月 邦雄
富士電機at
-
脇本 節子
富士電機AT
-
高橋 孝太
富士電機アドバンストテクノロジー株式会社
-
岩本 進
富士電機アドバンストテクノロジー株式会社
関連論文
- 高耐圧-逆阻止IGBT向けの新分離層形成プロセス
- シリコントレンチエッチングにおけるシースの役割
- 14pXG-12 シリコン表面上に形成したトレンチ構造の側壁におけるステップの挙動(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- トレンチ形成におけるエッチング特性とプラズマ物性の関係 (特集 半導体)
- シリコントレンチ構造微視変形の解析 (解析・評価技術特集)
- トレンチ埋込法により作製した20mΩcm^2 660V SJ-MOSFET
- 深いトレンチエッチングとエピタキシャル成長により作製した耐圧500V以上のSJ-MOSFET
- DB(誘電体バリア)-IGBT構造によるキャリア注入の促進
- プロトンドナー型ミドルブロードバッファダイオードの発振抑制効果とソフトリカバリー性能について
- マルチレベル電力変換器用1700V逆阻止IGBT