望月 邦雄 | 富士電機at
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概要
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著作論文
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- トレンチ埋込法により作製した20mΩcm^2 660V SJ-MOSFET
- 深いトレンチエッチングとエピタキシャル成長により作製した耐圧500V以上のSJ-MOSFET